本发明提供了一种InGaN基双波长光电探测外延晶片、制备方法和光触发布尔逻辑门器件，涉及半导体光电探测器技术领域，该外延晶片包括衬底、n‑GaN纳米线段、功能吸收器和透明导电层，功能吸收器包括n‑InGaN纳米线段和p‑InxGaN纳米线段，并具有轴向异质结构，用于对不同波长的光束产生相反极性的光电流。相较于现有技术，本发明为入射光波长区分提供了理想的参数，以为在功能吸收器的底部n‑InGaN纳米线段中和顶部p‑InxGaN纳米线段中产生的光电流的两个极性提供能量增益，配合电子反相器，能够实现全套光触发布尔逻辑门的功能。