本发明公开了一种基于InGaN的LED外延晶片及其制备方法，其中，该基于InGaN的LED外延晶片包括：衬底；形成于衬底表面的InGaN层，其In含量为40%至90%，以确保该LED外延晶片能够发射长波长光或近红外光；形成于InGaN层背向衬底表面的p型金属氧化物层，作为InGaN层的空穴注入层。