一种InGaN外延层及其制造方法/INGAN EPITAXIAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF--专利交易--嘉权专利商标事务所

一种InGaN外延层及其制造方法/INGAN EPITAXIAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

交易价格：面谈

所属类型

发明专利

所属行业

H01-基本电器元件

所属国家

美国

所属地域

PCT项

无

交易方式

完全转让

申请号：US11,521,852 B2

申请日：2018-12-19

公开号：

公开日：

授权日：

授权公告日：

所属类型：发明专利

国别省市：美国

发明名称：一种InGaN外延层及其制造方法/INGAN EPITAXIAL LAYER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

国际分类号：

范畴分类号：

发明人：华南师范大学

法律状态：已授权

交易方式：完全转让

一种在Si衬底（12）上制备InGaN外延层的方法以及通过该方法生产的硅基InGaN外延层。该方法包括以下步骤：1)在Si衬底（12）上直接生长第一InGaN层（11）；和，2)在所述第一InGaN层

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