一种纳米线阵列，所述纳米线阵列中的各纳米线紧密贴合，通过侧壁彼此接触形成三维致密层状结构，其中所述纳米线为InGaN基材料。一种具有上述纳米线阵列的光电子器件，所述纳米线阵列外延生长在衬底（12）表面上。还提供了制造上述纳米线阵列和光电子器件的方法。