本发明涉及一种碲镁镉单晶材料的制备方法、晶体材料及其应用，制备方法包括利用高温熔融法制备碲镁镉多晶料、再利用垂直布里奇曼法进行晶体材料的生长，最后进行原位退火即得；制备原料包括：按照化学计量比，满足Cd0.95Mg0.05Te的Cd、Mg和Te为基础原料，在基础原料的基础上加入过量的Cd或者过量的Te，再掺杂In；垂直布里奇曼法的高温区的温度为1120～1150℃，低温区的温度为900～960℃，下降速率为0.5～1mm/h。本发明制备方法简单、成本低，通过控制合适的晶体生长参数，可制备出大尺寸的碲镁镉单晶，解决了现有碲镁镉单晶制备方法复杂和尺寸偏小的技术问题。同时，多晶料合成和晶体生长在一个坩埚内，避免了原料的污染。