本发明实施例公开了一种谐波抑制混频器，所述混频器包括四个结构相同的混频单元，每个所述混频单元包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、运算放大器、以及第一电阻和第二电阻；每个混频单元均采用运算放大器作为基带信号的输入，由此能够对场氧化管的工艺偏差对谐波抑制造成的影响起到反馈补偿的作用。本发明实施例还提供一种GSM射频芯片。采用本发明实施例，能够有效地对3次谐波和5次谐波进行抑制，减小对中频滤波器滤波性能的要求。