本发明公开了一种硅掺杂钙磷陶瓷的表面处理方法，对硅掺杂钙磷陶瓷进行表面水热处理：将硅掺杂钙磷陶瓷置于灭菌锅中，在１００～１８０℃下处理０．５～２ｈ，用去离子水冲洗，烘干后得到表面生长有羟基磷灰石晶须的硅掺杂钙磷陶瓷。本发明方法的工艺简单，能够得到尺寸可控，且直径在微米到纳米级别的羟基磷灰石晶须。