本发明属于半导体材料领域，公开了一种热蒸发制备二氧化锡晶体的方法。以SnO作为源材料，放置于管式炉中心加热区，将洗净的表面掺二氧化硅的硅片作为衬体，放置在距源材料12～20cm处；将管式炉内抽真空，然后通入Ar气；加热管式炉中心加热区温度为600～1200℃进行热蒸发沉积，在衬体上得到二氧化锡晶体。本发明的制备方法简单，所需的药品以及实验仪器都是普通常见的，不需要作特殊处理。并且所制得的方形二氧化锡晶体不易受到污染，形状规则。