本发明公开了一种电阻栅薄膜晶体管及其制备方法。电阻栅薄膜晶体管包括衬底、过渡层、栅端电极、电阻栅薄膜层、绝缘栅介质层、半导体有源层、源漏电极；所述电阻栅薄膜层位于栅端电极与绝缘栅介质层之间；所述栅端电极位于电阻栅薄膜层下方；所述源漏极在半导体有源层上，且源漏电极两端与两个栅端电极存在交叠区域。本发明可通过两个栅端电极偏压有效调控器件处于不截止、遥截止或锐截止转移特性，可根据实际应用需要获得所需的阈值电压、关态电流和跨导值，两个栅端电极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，从而有效扩大了薄膜晶体管的应用范围，能有效地解决阈值电压漂移、大信号堵塞、自动增益控制动态范围窄等问题。