本发明属于半导体技术领域，公开了一种平面分离双栅薄膜晶体管及其制备方法。所述方法为：（１）在衬底上沉积绝缘介质材料作为过渡层；（２）在过渡层上沉积导电薄膜，光刻形成两个栅电极；（３）在过渡层和栅电极上沉积绝缘薄膜形成绝缘栅介质层；（４）在绝缘栅介质层上沉积薄膜，形成半导体有源层；（５）在半导体有源层上旋涂光刻胶层，光刻形成源／漏电极的接触孔；（６）在接触孔和光刻胶上沉积导电薄膜，剥离形成源电极和漏电极；（７）退火处理。本发明的晶体管通过调整两个栅极的偏压可使ＴＦＴ器件呈现出不同的输出和转移特性，两个栅极可同时作为控制栅和信号栅使用，使电路得到简化，有效地拓展ＴＦＴ的应用范围。