本发明公开了一种ＶＤＭＯＳ晶体管及制备方法，属于半导体领域，包括第一导电类型衬底、第一导电类型外延层、位于外延层内的第二导电类型注入区和第一导电类型的高掺杂源区、栅极结构，所述栅极结构包括：位于外延层漂移区上方的栅极绝缘层，位于栅极绝缘层上方的半绝缘多晶硅层，位于沟道区上方的氮氧化硅层，覆盖半绝缘多晶硅层和氮氧化硅层的多晶硅层；在制备方法中引入热氮化氮氧化硅层，代替传统二氧化硅层作为沟道上栅介质层，在外延层漂移区上方的氧化层之上，增加一层半绝缘多晶硅层，本发明能够明显降低栅－漏电容和达到克服因长期工作温升引起的栅绝缘层绝缘性能变差、栅极漏电流变大、ＶＤＭＯＳ性能蜕化的可靠性问题的效果。