本实用新型公开了一种增强型HEMT器件,包括SiC衬底、AlN缓冲层、GaN沟道层、AlN插入层、Al组分渐变的AlGaN势垒层、Mg掺杂Al组分渐变的AlGaN势垒层、SiNX钝化层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，本实用新型采用Al组分渐变的AlGaN势垒层来替代AlGaN势垒层，降低了Mg扩散的难度，避免了传统P型栅因刻蚀所产生的机械损伤，并提高了器件的栅控能力，有利于实现高阈值电压的GaN增强型功率器件。