本实用新型公开了一种硅衬底上GaN/二维AlN异质结整流器，属于整流器领域。该整流器包括依次层叠的硅衬底、GaN缓冲层、碳掺杂半绝缘化GaN层、二维AlN层、非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层和SiNx钝化层，还包括设置在一侧的台面隔离凹槽和肖特基接触电极，所述台面隔离凹槽与非掺杂GaN层、非掺杂InGaN层、SiNx钝化层和肖特基接触电极接触，所述肖特基接触电极与台面隔离凹槽、非掺杂GaN层接触。本实用新型二维AlN的厚度仅有几个原子层，故受到的应力和极化强度相较AlGaN更大。因此，本实用新型GaN/二维AlN的异质结构可产生超高浓度且迁移率超大的二维电子气，从而实现频率和效率的大幅提升。