本实用新型公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件，包括硅衬底、GaN外延层、AlxGa1?xN势垒层、P型AlGaN掺杂层、栅电极、源电极以及漏电极；P型AlGaN掺杂层为金属镁在AlxGa1?xN势垒层的上表面向下扩散形成的；AlxGa1?xN势垒层中的x表示Al元素含量，x的取值范围为0.01?0.5；栅电极与P型AlGaN掺杂层的上表面接触；源电极以及漏电极分别与AlxGa1?xN势垒层上表面的两侧接触。本实用新型利用金属镁热扩散技术，实现栅电极下方AlxGa1?xN势垒层的P型掺杂，该器件结构简单、成本低廉的优点，对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。