本实用新型公开了具有背场板结构的ＨＥＭＴ器件，由下至上依次包括硅衬底、ＧａＮ外延层、ＡｌＧａＮ势垒层、Ｓｉ３Ｎ４钝化保护层；栅电极、源电极和漏电极设于ＡｌＧａＮ势垒层之上；所述硅衬底设有横截面为直角梯形的凹槽；所述凹槽开口向下，凹槽的顶部为ＧａＮ外延层的下表面；背场板结构设于硅衬底的部分下表面、凹槽的斜面、凹槽的部分顶部之上。本实用新型利用衬底隔离及背场板技术，避免了器件的衬底击穿，提高了ＧａＮ　ＨＥＭＴ器件的击穿电压，降低了栅极漏侧场强峰值，提高了器件的散热性能，对于实现高性能、高可靠性氮化镓基器件具有重要意义。