本发明公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的ＧａＮ薄膜，包括生长在Ｌａ０．３Ｓｒ１．７ＡｌＴａＯ６衬底上的ＧａＮ缓冲层，生长在ＧａＮ缓冲层上的ＧａＮ薄膜。所述Ｌａ０．３Ｓｒ１．７ＡｌＴａＯ６衬底以（１１１）面偏（１００）方向０．５～１°为外延面。本发明还公开了上述ＧａＮ薄膜的制备方法。与现有技术相比，本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，同时本发明制备的ＧａＮ薄膜具有缺陷密度低、结晶质量好等特点。