本实用新型属于微电子器件技术领域，公开了一种ＭｏＳ２基量子阱型调制掺杂场效应晶体管。ＭｏＳ２基量子阱型调制掺杂场效应晶体管自下至上依次包括衬底、ＡｌＮ缓冲层、ＡｌＧａＮ缓冲层、ＧａＮ层、量子阱型结构层，所述量子阱型结构层为ＭｏＳ２ｘＳｅ２（１?ｘ）层／ＭｏＳ２层／ＭｏＳ２ｘＳｅ２（１?ｘ）层；所述量子阱型结构层的上方设有源电极、漏电极和栅电极；栅电极设置在源电极和漏电极之间。本实用新型采用量子阱型结构，在此结构中存在两个平行的异质界面，最大电流薄层和电流都加倍；ＭｏＳ２沟道层夹在两个势垒之间，能够更好地限制载流子。总之，本实用新型的晶体管具有优异的性能。