本实用新型公开了生长在Ｓｉ衬底上的ＩｎＮ纳米柱外延片，由下至上依次包括Ｓｉ衬底、Ｉｎ金属纳米微球层和ＩｎＮ纳米柱层。所述Ｉｎ金属纳米微球层中的Ｉｎ金属纳米微球的直径为２０?７０ｎｍ。所述ＩｎＮ纳米柱层中ＩｎＮ纳米柱直径为４０?８０ｎｍ。本实用新型的纳米柱直径均一，同时解决了ＩｎＮ因与Ｓｉ之间存在较大晶格失配而在其中产生大量位错的技术难题，大大减少了ＩｎＮ纳米柱外延层的缺陷密度，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管的发光效率。