本实用新型公开了一种表面粗化的纳米孔ＬＥＤ阵列芯片，包括四个发光单元通过金属线连接实现串联，金属线与半导体材料之间由介质绝缘层隔离；发光单元的有源区的直径是１００μｍ至２００μｍ之间；整个芯片表面都具有纳米孔，纳米孔的直径是３００ｎｍ至１０００ｎｍ之间。本实用新型使用负胶光刻和电子束蒸发沉积制备电极时，沉积四层金属薄膜之后，新增一层介质薄膜；同时，采用条状介质绝缘层隔离金属电极与半导体材料，在金属电极以外的其它区域没有介质薄膜；其中有源区域的纳米孔提高了辐射复合速率，整个芯片表面的纳米孔构成了表面粗化，都有利于光子模式的逸出，提高出光效率和调制带宽。