本发明提供具有集成放大电路的氮化镓基发光二极管结构及其制备方法。发光二极管包括：衬底、非掺杂ＧａＮ缓冲层、Ｎ型ＧａＮ导电层、多量子阱有源区、Ｐ型氮化镓导电层、电流扩展层、Ｐ电极、高阻氮化镓沟道层、ＡｌＧａＮ势垒层、源电极、栅电极；本发明涉及具有集成放大电路的氮化镓基ＬＥＤ结构，避免了分离器件电路连接存在的寄生电容、电感，将控制ＬＥＤ通断的电极设计在芯片内部，可以有效改善发光器件整体的响应频率，提高基于氮化镓基ＬＥＤ的可见光通信速率。