本实用新型属于半导体发光器件制造领域，具体涉及一种具有微结构增透膜的高压ＬＥＤ芯片，其结构包括蓝宝石衬底、缓冲层、Ｎ型层、量子阱层、Ｐ型层、Ｐ型层上的电极、Ｎ型层上的电极、连接桥、ＩＴＯ层以及覆盖在ＩＴＯ层上的带有圆柱状微结构的增透膜。本实用新型能有效减少ＬＥＤ出光时的反射损耗，同时通过微结构减少由芯片到空气中的光线全反射。同时增透膜本身能抑制芯片本身潮气和杂质的扩散，起到最终的保护作用。