本发明公开了一种射频前端模块中有源器件和无源单晶器件及单片集成方法。所述方法包括：在基板上先外延生长第一单晶功能层，接着生长第二第三甚至更多单晶外延层，经MEMS工艺将第一单晶外延层制备成一个或多个无源滤波器器件，对第二第三甚至更多单晶外延层进行加工处理获得一个或多个放大器或低噪声放大器或开关等，接着整面生长钝化层并抛平。与此同时在另一基板上制备键合层，将基板与另一基板进行对准键合，去除或减薄基板，继续进行MEMS工艺加工，完成不同功能芯片元器件的集成。采用该单片集成方法可以进一步缩小射频前端模块的体积，避免前端模块分立单体器件在PCB版上集成时电气连接的损耗，降低了射频前端模块的成本。