本发明公开了一种生长在Si衬底上的二维InGaSe纳米材料及其制备方法。所述制备方法包括：用乙醇清洗衬底，用干燥氩气吹净，得到清洗后的衬底；将清洗后的衬底放入CVD设备的玻璃管内，将Se粉、In颗粒及Ga颗粒放入CVD设备的玻璃管内，抽真空处理，通入氩气作为保护气；升温使Se、In及Ga在外延生长面恒温生长，得到生长在Si衬底上的InGaSe纳米材料。本发明提供的制备方法具有生长工艺简单、生长工艺简单、结晶质量好、成本低、可行性高等优点。通过本发明提供的制备方法，生长出禁带宽度在1.02?1.67eV范围内连续可调并可用于制造光探测器及太阳能电池等应用的InGaSe二维材料。