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一种纳米结构可控的稀磁半导体材料及其制备方法与装置
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2014103935364
2014-08-11
发明专利
一种纳米结构可控的稀磁半导体材料及其制备方法与装置
华南理工大学
已授权

本发明属于半导体纳米材料制备技术领域,公开了一种具有室温铁磁性、纳米结构可控的稀磁半导体材料及其制备方法与装置。该材料由以下方法制得:将相同体积的醋酸锌、醋酸铜溶液分别置于双源超声雾化热解喷涂仪的两个盛液杯中,进行双源超声雾化热解喷涂,得到沉积于衬底上的纳米结构可控的稀磁半导体材料。本发明采用超声波来雾化前驱体,可获得更细小、均匀的雾气,且采用双源式雾化,不仅避免掺杂时溶液间的相互污染,同时易于控制组分结构,利于制备梯度膜或多层膜结构,通过对装置进行改进,制备得到不同纳米结构、各项性能良好的纯稀磁半导体材料,Ms可达3.8×10?4emu/cm?2,Hc可达0.1KOe,具备软磁的特征。

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