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高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
G06-计算技术
所属国家
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PCT项
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  • PCT项
CN201310441845X
2013-09-25
发明专利
高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法
华南理工大学
已授权

本发明公开了一种高密度封装元器件的仿射变换模型参数估计方法,包括以下步骤:S1、粗略仿射变换模型参数估计;采用SURF检测子检测关键点,建立Freak特征向量,根据特征向量进行关键点匹配;计算其变换模型M,判断余下特征点对是否符合该模型;S2、采用最小能量亚像素法进行仿射变换模型参数修正;若tx,ty>10pixel或θ>10°,则根据上述粗略参数估计(tx,ty,θ),对待估计参数图像I(x,y)进行逆变换得到g(x,y),计算g(x,y)与模板图像f(x,y)的最小能量方程E,判断E是否低于设定值,若否,进行下一次迭代;若是,则结束迭代过程,将tx'作为最终的x方向的平移参数、ty'作为最终的y方向的平移参数,θ'作为最终的旋转角度。本发明实现了高精度亚像素级定位,并且对光照变换和噪声具有很强的鲁棒性。

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