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一种GaN的DC-DC测试装置
交易价格:面谈
所属类型
实用新型专利
所属行业
G01-测量、测试
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2017211074563
2017-08-31
实用新型专利
一种GaN的DC-DC测试装置
华南理工大学
已授权

本实用新型公开了一种GaN的DC?DC测试装置,包括上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC、死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统;其中上下MOSFET、输入输出电容、储能电感、控制IC、驱动IC的功能及连接方式与传统的DC?DC测试装置一致,死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路替代传统的DC?DC测试装置部分电路。本实用新型在传统的DC?DC测试装置的基础上增设了死区时间可调电路、上下管驱动电阻可调电路及测试点系统,使得测试装置死区时间可调、测试装置驱动turn?on电阻、turn?off电阻可调以及测试装置关键信号测试点布局更灵活合理。 1

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