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低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备
交易价格:面谈
所属类型
实用新型专利
所属行业
H01-基本电器元件
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
  • 专利详情
  • 专利摘要
  • 主权利要求
  • 优先权项
  • PCT项
CN2020204331625
2020-03-30
实用新型专利
低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备
华南理工大学
已授权

本实用新型公开了一种低交叉极化双频背腔天线及无线通信设备,所述天线包括介质基片、上金属层、下金属层和金属化通孔阵列,上金属层设置在介质基片的上表面,下金属层设置在介质基片的下表面,所述金属化通孔阵列贯穿上金属层、介质基片和下金属层,且金属化通孔阵列与上金属层、下金属层共同围成一个半模基片集成波导腔体;所述介质基片和下金属层相对上金属层向一侧延伸,半模基片集成波导腔体在延伸部分形成开口,上金属层在靠近开口的一侧设有缝隙。本实用新型天线利用半模技术减小了双频天线的体积,还拥有交叉极化低的良好特性,可以很好地减小通讯时系统间的干扰,同时具有低剖面,体积小的特点,易于与小体积的通信系统集成。

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