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一种MEMS谐振器及其制备方法
交易价格:面谈
所属类型
发明专利
所属行业
H03-基本电子电路
所属国家
所属地域
PCT项
交易方式
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  • PCT项
CN2021113052521
2021-11-05
发明专利
一种MEMS谐振器及其制备方法
华南理工大学
已授权

本发明申请公开了一种MEMS谐振器及其制备方法,采用由直流偏置、T型锚结构和压阻梁组合的压阻换能器,具有锚损耗低的优势,同时使得用于压阻换能的压阻梁不作支撑功能,能通过减小压阻梁的宽度提高压阻换能效率;通过T型锚结构的横梁连接两个负电极,并通过压阻梁与正电极连通,使得设置于谐振体上的压阻换能器中的偏置电流不会流经谐振体,防止焦耳热效应导致的谐振体温度升高,从而避免了因温度升高导致的谐振体弹性系数改变,缓解了谐振频率的偏移程度;同时,由于偏置电流不会流经谐振体,使得电流通路的长度较短,进而降低了总功耗,可广泛应用于微电子技术领域。

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