本实用新型公开了一种利用射频电感优化单晶薄膜体声波谐振器滤波器。所述滤波器包括外延衬底、底电极、压电薄膜、顶电极、保护层、电学连接通孔、电极连接微带线及射频电感平面金属线段。所述滤波器包括具有三明治结构的谐振器单元、射频电感部件。所述谐振器单元为硅背刻蚀型FBAR谐振器，采用单晶AlN压电层作为声学震荡层，采用该制备方法得到的FBAR滤波器有效提高了带外抑制、减小带内波纹，简化FBAR滤波器制备过程且降低器件制备成本提高产品性能。