本实用新型属于声波器件材料的技术领域，公开了一种生长在衬底上的低应力状态单晶ＡｌＮ。所述生长在衬底上的低应力状态单晶ＡｌＮ薄膜包括衬底、生长在衬底上的外延ＡｌＮ单晶薄膜层、沟槽；所述沟槽设在外延ＡｌＮ单晶薄膜层上，并将外延ＡｌＮ单晶薄膜层分隔成若干区域，使得ＡｌＮ薄膜层覆盖部分衬底；所述外延ＡｌＮ薄膜层上以及沟槽中设有应力补偿层。本实用新型通过沟槽将单晶ＡｌＮ薄膜分割成若干独立的区域和引入补偿层，提高了相关声波器件的品质因数和有效机电耦合系数；并且本实用新型的单晶ＡｌＮ薄膜中，补偿层起到了温度系数调节作用，使最终器件的功率容量、稳定特性和可靠性都得到了提高。